গ্রেড ১২.৯ ১০.৯ গ্যালভানাইজড ধাতুপট্টাবৃত মেটাল বোল্ট কার্বন ইস্পাত ষড়ভুজ নকশা স্থাপত্য

গ্যালভানাইজেশনের নীতি দুটি স্তরে বোঝা যায়ঃ প্রক্রিয়া নীতি (যেভাবে লেপটি প্রয়োগ করা হয়) এবং ক্ষয় প্রতিরোধ নীতি (যেভাবে মরিচা প্রতিরোধ করা হয়) ।মূলত দুটি প্রক্রিয়া আছে: গরম ডাম্পিং এবং ইলেকট্রোগালভানাইজিংঃ
I. গরম ডাম্পিং গ্যালভানাইজিং নীতি
ইস্পাত উপাদানগুলি প্রায় 450 °C এ গলিত দস্তাতে ডুবে যায়, উচ্চ তাপমাত্রার ধাতুবিদ্যা প্রতিক্রিয়াগুলির মাধ্যমে একটি লেপ গঠন করে।
এই প্রক্রিয়াটি তিনটি ধাপ নিয়ে গঠিতঃ
পৃষ্ঠের সক্রিয়করণঃ মরিচা অপসারণের জন্য অ্যাসিড পিকলিংয়ের পরে, স্টিলের উপাদানগুলি পৃষ্ঠের অক্সিড স্তরগুলি দূর করতে একটি ফ্লাক্সিং এজেন্টে (অ্যামোনিয়াম-জিংক ক্লোরাইড সমাধান) নিমজ্জিত করা হয়,লোহার স্তরটির "সক্রিয় পৃষ্ঠ" প্রকাশ করে.
ভিজা প্রতিক্রিয়াঃ গলিত জিংক মধ্যে নিমজ্জন পরে, লোহা এবং তরল জিংক পারস্পরিক ছড়িয়ে পড়ে iron লোহার পরমাণু জিংক বাথ মধ্যে দ্রবীভূত হয় যখন জিংক পরমাণু ইস্পাত পৃষ্ঠ অনুপ্রবেশ,একটি Fe-Zn খাদ স্তর গঠনের (জালাই হিসাবে দৃঢ়ভাবে আবদ্ধ).
লেপ গঠনঃ অপসারণের পরে, খাঁটি দস্তা একটি স্তর বাইরের পৃষ্ঠের সাথে লেগে থাকে। শীতল হওয়ার পরে, কাঠামো ভিতর থেকে বাইরে থেকে গঠন করেঃ
ইস্পাত স্তর → Fe-Zn খাদ স্তর → খাঁটি দস্তা স্তর
II. ইলেক্ট্রোপ্লেটিং জিংক নীতি (ইলেক্ট্রোপ্লেটিং)
ইলেক্ট্রোলাইটিক সেল প্রতিক্রিয়া ব্যবহার করে ইস্পাত পৃষ্ঠের উপর জিংক স্তর জমা দেয়।
প্রক্রিয়াটি "ব্যাটারি চার্জিং" এর অনুরূপঃ
ক্যাথোডঃ ইস্পাত উপাদান (পাওয়ার সোর্সের নেগেটিভ টার্মিনালে সংযুক্ত)
অ্যানোডঃ জিংক প্লেট (পাওয়ার সোর্সের ইতিবাচক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত)
ইলেক্ট্রোলাইটঃ Zn2+ আয়ন ধারণকারী জিংক লবণের সমাধান
বর্তমান প্রয়োগের পরে, নিম্নলিখিত প্রতিক্রিয়া ঘটেঃ
অ্যানোডঃ জিংক প্লেট দ্রবীভূত হয় → Zn2+ আয়ন সমাধান প্রবেশ
ক্যাথোডঃ Zn2+ আয়ন + 2e− → জিংক পরমাণু ইস্পাত পৃষ্ঠের উপর জমা
বর্তমান, সময়কাল এবং সমাধানের রচনা নিয়ন্ত্রণ করে, লেপের বেধ এবং চকচকেতা সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রিত হতে পারে।

আপনার শিপিং এবং স্টোরেজ প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য ছোট প্যাকিং, কার্টন প্যাকিং, বা প্যালেট কনফিগারেশনে উপলব্ধ।

কঠোর মান নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা এবং চালানের আগে পরিদর্শন সহ JIA SHAN হার্ডওয়্যার কোম্পানি দ্বারা নির্মিত।